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# Composants discrets : R, L et C
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## Résistance
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- R : `--^v^v^v--`
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- s'oppose au passage du courrant
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Résistance d'un fil :
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```
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L
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R = p ---
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S
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```
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avec :
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- R : résistance
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- p : matériau
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- L : longueur
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- S : surface
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## Condensateur
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- C : `--||--`
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- se comporte comme une réserve d'énergie, bloque le passage d'un courant continu.
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```
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S
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C = e0 ---
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e
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```
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avec :
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- C : capacité
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- e0 : permissivité diélectrique
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- e : a distance entre les armatures
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- S : la surface des armatures
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## Bobine
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- L : `--OOO--`
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- se comporte comme une résistance nulle en courant continue
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et comme une résistance forte en courant alternatif, proportionnellement à la fréquence.
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```
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|| 1 ||
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Z = || ---- ||
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|| cw ||
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```
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avec :
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- Z : ?
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- ...
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## Transistor
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Intérupteur électriquement controllé, peut être utilisé comme porte logique ET.
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### MOS (Metal Oxyde Semiconductor)
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```
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__________ Source
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/ ______ Générateur
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/ / __ Drain
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/ / /
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S G D
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+-|----|----|-+
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| O ======= O |
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+------|------+
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|
T
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\_____ Terre
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```
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Quand le circuit `Générateur -> Terre` charge la plaque,
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elle devient conductrice et ferme le circuit `Source -- Drain`.
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> Note :
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> Il est possible de piloter de grandes tensions sur S -- D
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> avec une faible tension dans G -- T.
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>
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> Donc, le système est très sensible aux parasites.
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### CMOS (Complementary MOS)
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Les transistors MOS peuvent donc être modélisés en fonctionnement Bloqué / Saturé,
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comme des interrupteurs 'idéaux' tel que :
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#### Type N
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```
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d
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+-+
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g --||
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+-+
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|
s
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```
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avec :
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- Vgs = 0 -> `d - - s`
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- Vgs = Vdd -> `d --- s`
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#### Type P
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```
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|
s
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|
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|
+-+
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g -o||
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|
+-+
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|
d
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|
```
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|
|
avec :
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- Vgs = 0 -> `s --- d`
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- Vgs = -Vdd -> `s - - d`
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### Fonctions logiques
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#### Porte NOT
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Avec le montage :
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```
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1 ------+-- 1
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.-o||
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E ->+ +-> S
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`--||
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0 ------+-- 0
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```
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- lorsque E = 0
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|
- le MOS P (haut) est fermé
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|
- le MOS N (bas) est ouvert
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|
- la tension S = 1
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|
|
|
- lorsque E = 1
|
|
- le MOS P (haut) est ouvert
|
|
- le MOS N (bas) est fermé
|
|
- la tension S = 0
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On a donc :
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```
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+---+---+
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| E | S |
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|
+---+---+
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| 0 | 1 |
|
|
| 1 | 0 |
|
|
+---+---+
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```
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> Note :
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|
> La tension E est évacuée vers la masse et le circuit ne chauffe pas.
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|
> Note :
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> Physiquement, le MOS N est sensible à l'abscence de charge.
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> Il est donc plus rapide que le MOS P qui est basé sur la présence de charge.
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#### Porte NAND
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```
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1 ------+------------ 1
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.-o||
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A ->+ +---------.
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`--|| .-o||
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B ----- | --->+ +-> S
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| `--||
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0 ------+---------+-- 0
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```
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Composé de deux portes NOT, la sortie de l'une est l'entrée de l'autre.
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### Porte AND
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```
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1 ------+-------------------+-- 1
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.-o|| |
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A ->+ +---------. |
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`--|| .-o|| .-o||
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| | | | |
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B ----- | --->+ +---->+ +-> S
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| `--|| `--||
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0 ------+---------+---------+-- 0
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```
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Composé d'une porte NAND dont la sortie est l'entrée d'une porte NOT.
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